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利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N<,2>保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解决了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.
C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究
【摘 要】
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利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品
【机 构】
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苏州大学物理系,江苏省薄膜材料重点实验室(江苏苏州)中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
【出 处】
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2005年全国功能材料学术年会
【发表日期】
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2005年7期
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