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半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进,并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明,凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率,确能使器件结温达到老化的要求,并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响。最后在此基础上,提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。