Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth

来源 :材料科学与化学工程(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：tronsung123

【摘要】

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Lattice-strained Si thin films grown onto SiGe(110)/Si(110) are attracting because of their potential to realize high-speed transistors. In this study we observ

【作者】

：

Junji Yamanaka Mai Shirakura C

【机构】

：

CenterforInstrumentalAnalysis,CenterforCreativeTechnology,CenterforCrystalScienceandTechnology

【出处】

：

材料科学与化学工程(英文)

【发表日期】

：

2018年1期

【关键词】

：

STRAINED Si SiGe(110) Stress-Induced Twin Transmission Electron Microscopy Strai

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Lattice-strained Si thin films grown onto SiGe(110)/Si(110) are attracting because of their potential to realize high-speed transistors. In this study we observe surface morphology of Si/SiGe/Si(110) using scanning electron microscopy and we also observe

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