【摘 要】
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基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体管的制备工艺均在室温条件下完成,包括Ar+轰
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0406401),国家自然科学基金(51672035)
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基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体管的制备工艺均在室温条件下完成,包括Ar+轰击在SrTiO3单晶表面产生的导电沟道,溅射生长非晶HfO2薄膜作为栅极介质层。实验发现溅射工艺中的氧分压对HfO2栅极漏电性质的影响显著。当氧氩分压比从1∶10增加到1∶2时,HfO2栅极的漏电密度明显降低。对变温漏电数据的分析表明,HfO2栅极的漏电以空间电荷限制电流(SCLC)机制为主导。对于低氧分压制备的栅极,其SCL
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