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本文报道采用简便的真空反应法在Si(111)衬底上生长出六方结构的GaN单昌薄膜,并对GaN薄膜的表面形貌,结晶学性质和光学特性作了研究.SME表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,XRC图谱上有一GaN(0002)衍射峰,其半高宽为0.5°,室温下的光致发光谱在373nm处有一个很强的发光峰,其半高宽为8mm935.7meV)。