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由描述功率肖特基二极管电学特性的基本议程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压隆、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出３Ｃ－ＳｉＣ功率肖基二极管折衷优化设计的理论依据。
3C—SiC功率肖特基二极管特性的计算机分析
【摘 要】
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由描述功率肖特基二极管电学特性的基本议程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压隆、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出３Ｃ－ＳｉＣ功率肖基二极管折衷优化设计的理论依据。
【机 构】
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西安理工大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年1期
【基金项目】
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陕西省自然科学研究基金
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