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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,香港科技大学电机与电子工程系
【出 处】
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半导体学报：英文版
【发表日期】
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1998年5期
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