论文部分内容阅读
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET闻值电压特性分析的电荷分享物理模型，详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压，并利用Mathematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分析和计算机模拟，证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强，更适用于现代ULSI低压低功耗的要求。