氧化锌薄膜制备研究获突破

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最近,中国科学技术大学“氧化锌薄膜制备及光电子特性研究”课题组将在硅衬底生长出的具有紫外发光特性的氧化锌薄膜的发光亮度提高了两个数量级以上;并分别生长出具有纯绿和纯紫等不同发射光谱的样品;同时,他们还在所制备的氧化锌和硅异质样品中观察到对紫外光特别敏感的光生 Recently, the research group of “Preparation of ZnO Thin Film and Study of Photoelectron Properties” of University of Science and Technology of China raised the luminescence brightness of zinc oxide thin film with ultraviolet light-emitting characteristics grown on silicon substrate by more than two orders of magnitude; Green and pure violet and other samples with different emission spectra. At the same time, they also observed the photo-induced UV light-sensitive samples of ZnO and silicon-heterogeneous samples
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