【摘 要】
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本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对x_j-t~(1/2)关系的影响,Zn在In_xGa_(
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对x_j-t~(1/2)关系的影响,Zn在In_xGa_(1-x)As中的扩散速度(x_j~2/t)较Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的快。在500°—600℃,Zn在In_xGa_(1-x)As的表面浓度为1×10~(19)—2×10~(20)cm~(-3)。Zn在In_xGa_(1-x)As中的表面浓度较在InP中的高。利用In_xGa_(1-x)As作1.3μm发光管的接触层可使接触电阻降低。
In this paper, the diffusion of Zn and Zn-Cd in In_xGa_ (1-x) As was studied by using ZnAs_2 and ZnAs_2 + Cd as diffusion sources. The diffusion temperature and diffusion time, the type of diffusion source and the composition of the material on the relationship between x_j-t ~ (1/2) are given. The diffusion rate of Zn in In_xGa_ (1-x) t) is faster than Zn-Cd in In_xGa_ (1-x) As. The concentration of Zn on the surface of In_xGa_ (1-x) As is 1 × 10 ~ (19) -2 × 10 ~ (20) cm ~ (-3) at 500 ℃ -600 ℃. The surface concentration of Zn in In_xGa_ (1-x) As is higher than that in InP. The use of In_xGa_ (1-x) As for 1.3μm LED tube contact layer can reduce the contact resistance.
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