SIMS测量激光诱导扩散Zn的浓度分布

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangjianguo20

【摘要】

：

通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm量级范围内的杂质浓度分布的方法.首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进

【作者】

：

张雪琴吴云峰叶玉堂焦世龙

【机构】

：

中国电子科技大学光电信息学院

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2005年7期

【关键词】

：

激光诱导扩散微小扩散区二次离子质谱仪 laser assisted diffusion extrasmall diffused areas SIMS

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通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm量级范围内的杂质浓度分布的方法.首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理.用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究.

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