【摘 要】
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SnO 2基紫外探测器具有较高的光响应度,但由于材料存在持续光电导效应,其响应时间较长,限制了其在光电探测领域的应用。为此,我们研究了表面修饰对SnO 2基光电探测器件的性能
【机 构】
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哈尔滨工业大学物理学院,哈尔滨师范大学物理与电子工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61874037,11474076),微系统与微结构制造教育部重点实验室开放课题(2017KM003),哈尔滨工业大学创新课题(NSRIF.2019060)资助项目
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SnO 2基紫外探测器具有较高的光响应度,但由于材料存在持续光电导效应,其响应时间较长,限制了其在光电探测领域的应用。为此,我们研究了表面修饰对SnO 2基光电探测器件的性能影响。采用化学气相沉积的方法制备了高结晶质量的SnO 2微米线,并在此基础上制备了基于单根SnO 2微米线的光电探测器。同时制备了高质量的钙钛矿CH 3NH 3PbBr 3材料,并与SnO 2微米线结合制备出经过修饰的SnO 2基器件。两种器件在紫外波段都呈现出明显的光响应,响应峰值位于250 nm处。相比单根SnO 2微米线器件,经
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