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以CH4和H2为气源，用微波辅助等离子体装置，在10．0mm×7．0mm的砷化镓基底上沉积了CVD金刚石薄膜，用扫描电子显微镜观察沉积效果，拉曼光谱表征沉积质量，分析薄膜附着力与砷化镓材料性能的关系。结果表明，当基体温度为600℃，气压为5kPa，甲烷浓度为2．0％时，在砷化镓片表面上沉积出了CVD金刚石薄膜，晶粒尺寸均匀，晶形完整、规则，晶界非常清晰。