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后驱动技术作为故障注入的有效方法,适用于数字电路在线故障注入,然而后驱动技术对器件产生的加速退化作用不容忽视。在分析后驱动技术原理的基础上,对后驱动环境下的退化机理作深入研究。以退化加速因子为主要分析指标,针对每一种退化机理（除引线键合熔化）推导出其加速因子模型,并以两种常见的双极型CMOS电路为对象进行退化加速评估,得出其主要的退化机理。