【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61264004);贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012] 003);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015] 4015);贵州省科技合作计划项目(黔科合LH字[2015] 7218);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC [2015] 026);贵州大学研究生创新基金(研理工[2017] 017)
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90～8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%.
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