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本文报导了a-Si TFT矩阵的制备及其性能。TFT的有源层是在一高真空低漏气体的分室连续沉积PECVE系统中制备而得，本文详细研究了漏气体与换气体对TFT的关态电流的影响。在目前水平下可使Ioll，(V0=-5V)降至10^10A的数量级。本文同时研究了提高开态电流的若干途径及实验结果。为获得高性能参数啊矩阵，I层及其与SiNx绝缘层的界面是至关重要的。所研究矩阵含196×144个元件，该TFT的宽长比(W/L)为10：1。我们组装了a-Si TFT-LCD样品，采用的是常规TN型液晶材料，驱