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上海华虹NEC电子有限公司近日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所通力合作，开发的6500VTrenchFsIGBT（沟道类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。
国内首款6500VIGBT芯片研制取得突破性成果
【摘 要】
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上海华虹NEC电子有限公司近日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所通力合作，开发的6500VTrenchFsIGBT（沟道类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2011年10期
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