【摘 要】
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本文介绍了无裂纹高导电性n型AlxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过AlN两步生长法,有效地解决了AlxGa1-xN外延薄膜易裂的难题，并且对其生长进行优化,减少
【机 构】
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北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080
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本文介绍了无裂纹高导电性n型AlxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过AlN两步生长法,有效地解决了AlxGa1-xN外延薄膜易裂的难题，并且对其生长进行优化,减少了AlxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型AlxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533 ×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V·s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明AlxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。
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