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采用0.18um SiGe BiCMOS工艺设计一个用于GPS卫星导航系统射频前端电路的低噪声放大器。该低噪声放大器采用BiFET(Bipolar-MOSFET)Cascode结构可以同时实现极低噪声和高线性度。采用异质结晶体管(heterogenous bipolar transistor,HBT)作为输入管以提供低噪声性能,Cascode级采用MOSFET管来提高线性度。与传统的全HBT管或全MOSFET管相比,这种混合结构能更方便地实现噪声、增益和线性度之间的折中设计。当该低噪声放大器在2.85v电