【摘 要】
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本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京有色金属研究总院
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本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10~3/cm~2以上,线缺陷长度为2-4μm,有位错环和位错网存在.两步退火后,样品注入层的缺陷密度降到10~7/cm~2量级,线缺陷长度小于0.5μm.位错网消失。
In this paper, the performance of high-dose As-implanted P-Si single crystal after low temperature annealing and high temperature electron beam scanning two-step annealing was studied. The remaining defects in the implanted layer of the sample were observed with a high-pressure electron microscope. The results showed that the residual defect density was 10 ~ 3 / cm ~ 2 or more and the length of the line defect was 2-4μm with only one-step high-temperature thermal annealing or electron beam annealing Dislocation loops and dislocation networks exist.After two steps annealing, the defect density of the sample injection layer is reduced to the order of 10 ~ 7 / cm ~ 2 and the length of the line defect is less than 0.5 μm.
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