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与互补 metal-oxide-semiconductorfield 效果晶体管尺寸的继续的 downscaling ,高电介质的常数( high-kappa )门材料作为 SiO2 的选择,是广泛地, investigated.Hf ( Zr )基于 high-kappa 门电介质薄电影由于他们的优秀物理性质和表演为半导体根据国际技术路线图被认为是 high-kappa 门电介质的最有希望的候选人。这篇论文在基于的 Hf ( Zr )上考察最近的进步基于 PVD (物理蒸汽免职), process.Th