氮化钽薄膜电阻器性能的研究

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本文研究了氮分压、溅射电流、膜厚对氮化钽膜电性能的影响。找出了制备低温度系数、高稳定性、高精度氯化钽薄膜电阻器的最佳工艺条件。 The effects of nitrogen partial pressure, sputtering current and film thickness on the electrical properties of tantalum nitride films were investigated. The optimal process conditions for preparing low temperature coefficient, high stability and high precision tantalum chloride thin film resistors were found out.
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