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以氯化铟和氯化锡为前驱物，采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω／口，可见光平均透过率为80％，电阻率为4×10^-2Ω·cm，其光电特性已达到了TN-LCD透明电极的要求。
ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究
【摘 要】
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以氯化铟和氯化锡为前驱物，采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为
【机 构】
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陕西科技大学电气与电子工程学院
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2004年5期
【基金项目】
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陕西省教育厅基金资助项目(No.03JK161)
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