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化学气相沉积是目前最重要的一种制备高质量、大面积石墨烯的方法．而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底．虽然有大量文章报道了关于石墨烯的生长条件及生长机理，但是作为最广泛采用的材料，铜基底上双层及多层石墨烯的生长机理仍然在探索中．本文采用常压化学气相沉积法，以乙醇为碳源在铜基底上生长石墨烯，并将其转移到SiO2／Si基底上．用场发射扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、光学显微镜对所制备的石墨烯进行表征和层数分析，对转移到不同基底上的不同层数的石墨烯进行了透光性分析．结果表明，常压条件下铜箔表面能够生长出