【摘 要】
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该文采用数值模拟分析了雷诺数为150和间距比为3的串列双梯形柱绕流水动力特性.当梯形柱背流面与迎流面长度比为d/D=0、0.3和0.5时,双柱的上侧旋涡融合,在尾部形成了不对称的P+S泄涡模式,导致下游柱体承受的平均升力偏离零值.d/D=0.7的双梯形柱泄涡转变为2S模式,表现为上游柱体旋涡与下游柱体旋涡融合后交替脱落.双方柱(d/D=1)间隙以及下游方柱尾部均形成了准静态涡,剪切层有小幅摆动,但未卷曲形成旋涡.d/D=0和0.3时,上游柱体后方由于边界层再附着形成了次生涡,增大了局部压力.随着d/D的增
【机 构】
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西南石油大学石油与天然气工程学院,成都610500;西澳大学,西澳大利亚 珀斯6009;中海石油(中国)有限公司深圳分公司,深圳518000
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该文采用数值模拟分析了雷诺数为150和间距比为3的串列双梯形柱绕流水动力特性.当梯形柱背流面与迎流面长度比为d/D=0、0.3和0.5时,双柱的上侧旋涡融合,在尾部形成了不对称的P+S泄涡模式,导致下游柱体承受的平均升力偏离零值.d/D=0.7的双梯形柱泄涡转变为2S模式,表现为上游柱体旋涡与下游柱体旋涡融合后交替脱落.双方柱(d/D=1)间隙以及下游方柱尾部均形成了准静态涡,剪切层有小幅摆动,但未卷曲形成旋涡.d/D=0和0.3时,上游柱体后方由于边界层再附着形成了次生涡,增大了局部压力.随着d/D的增大,上游柱体旋涡形成长度增长,双柱间隙流动趋于稳定,下游柱体前缘的横向速度脉动逐渐减弱,其后方的尾迹也趋于对称.上游柱体的遮蔽效应使其平均阻力大于下游柱体,而间隙流的不稳定性与边界层的交替再附着使得下游柱体升力偏大.双方柱绕流场处于拟稳定状态,其水动力系数远小于三棱柱和梯形柱.相较于双圆柱,三棱柱和梯形柱的边界层分离点靠前,增大了绕流的升阻力.
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射频器件性能的影响.随着氮含量的增加,虽然单晶金刚石生长速率有所增加,但是其拉曼半峰全宽(FWHM)、XRD摇摆曲线半峰全宽也逐渐增加,光致发光光谱中对应的NV缺陷逐渐增多,晶体结晶质量逐渐变差,不仅导致沟道载流子的迁移率出现退化,而且也使金刚石
在溶剂热条件下,以含卤素有机羧酸3-溴-吡啶-2,6-二甲酸(H2L)为配体,以硝酸钴、硝酸铜为金属源,合成了两例配合物:[Co(L′)3](1)和[Cu(L′)2]n(2)(HL′=5-溴-吡啶-2-甲酸),通过元素分析(EA)、X射线单晶衍射(SXRD)、X射线粉末衍射(PXRD)、红外光谱(IR)和热重分析(TGA)进行结构表征.X射线单晶衍射结果表明,配体H2 L在反应过程中发生脱羧现象,生成单羧酸配体5-溴-吡啶-2-甲酸.在配合物1中,每个Co(Ⅲ)都位于略微扭曲的八面体几何构型中,不对称单元
固-液两相输送系统中由于输送介质中含有大量硬质颗粒,在运行过程中泵的过流部件材料磨损严重,导致泵扬程和效率偏低,从而危害整个输送系统的运行安全.该文基于计算流体力学(Computational Fluid Dynamics,CFD)与离散单元法(Discrete Element Method,DEM)相耦合的方法,并考虑了颗粒对湍流调制的影响,通过与已有实验结果对比,验证了该计算模型的准确性.研究了固体颗粒浓度对泵性能和磨损的影响.结果 表明,小浓度颗粒的加入减弱了泵内湍动能,泵内流动更稳定,扬程和效率提
游泳的水动力特性分析是认识游泳运动和改进技术性能的关键.该文从人体游泳运动规律出发,提出游泳运动员模型刚体化的假设,将人体形态变形运动转化成各个独立肢体的刚体方位变化运动,采用基于多刚体运动的动网格方法(Dynamic mesh method),建立多体运动游泳数值计算模型.通过三维不可压缩Navier-Stokes方程结合RNG k-湍流模型进行求解,并采用VOF方法追踪自由水面变化情况,分析了游动姿势及水深对蝶泳打腿水动力学性能的影响.研究结果表明:基于刚体运动的游泳数值模拟方法能够较好地模拟计算复杂
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响.结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变.摩擦磨损实验结果显示:3％甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2
10月28—29日,2021年中国半导体材料产业发展(开化)峰会暨半导体材料分会成立30周年庆祝大会在浙江省衢州市开化县成功举办.本次会议由开化县经济和信息化局、开化经济开发区、开化县工商联(总商会)和中国电子材料行业协会半导体材料分会主办,浙江华盛模具科技有限公司承办,并得到了《人工晶体学报》等单位的友情支持.大会以“砥砺耕耘三十载,抢抓机遇展未来”为主题,全面回顾了半导体材料分会成立30年的风雨历程,与会领导和嘉宾围绕第一代、第二代、第三代半导体材料与技术,产业现状与发展趋势等行业热点问题展开积极广泛
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