溶胶凝胶法制备的MgO粉末通过电子束蒸发形成作为绝缘体保护体应用在PDP领域的MgO薄膜

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【摘要】

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MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg（OH）2而变差。为了证明这一点，实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末：将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体，接着将

【作者】

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Ashok Kumar Jitendra Kumar

【机构】

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印度Kanpur工艺技术研究所

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2008年1期

【关键词】

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MGO 薄膜绝缘体保护层 MgO Thin film Dielectric Protective Layer

【基金项目】

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Acknowledgements One of the authors （AK） is thankful to the Council of Scientific and Industrial Research （CSIR）, New Delhi, India for providing the research fellowship.

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MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg（OH）2而变差。为了证明这一点，实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末：将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体，接着将该凝胶体在100℃时烘24h以形成草酸镁，然后升温到600℃使之裂解，将其磨碎，再使用240mesh筛分，最后再在1000℃时烧结2h，形成MgO。该法制成的MgO在气压为10^-5mbar的气氛中通过电子束蒸发到玻璃衬底上形成薄膜。以上方法制成的MgO薄膜和在450℃直接退火的MgO薄膜在以下几点做了对比：（a）生长过

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