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引言 自绝缘闸双极型晶体管（IGBT）于上世纪80年代面世以来，一直成为中等功率应用中最常用的部件“1，2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗，以及双极结型晶体管（bipolar junction transistor．BJT）的载流能力，可简化闸极驱动要求，同时增强导通状态性能“3”。