基于变压力的CCOS光学研抛技术

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在非球面及自由曲面加工中,应用最为成熟的是计算机控制光学表面成型(CCOS)技术。现有CCOS技术普遍采用恒压力研抛方法,加工过程中研抛压力保持恒压,通过控制驻留时间实现所需的去除量。本文研究了基于变压力的CCOS研抛方法,增加了调控维度,通过同时控制研抛压力和驻留时间实现所需的去除量。首先,对该方法建立了加工控制的数学模型。然后,测量分析了磨头输出力的稳定性和响应速度,去除函数的稳定性。最终,在K9材料平面镜上开展了正弦压力抛光的材料去除实验。结果表明,实测与理想正弦研抛压力周期一致,力误差标准差约为0
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