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本文通过对荣华二采区10<
InAs nanostructures on InP (001) substrate with the insertion of a superthin AlAs layer
【摘 要】
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本文通过对荣华二采区10
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
【出 处】
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黑龙江科技信息
【发表日期】
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2007年4期
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