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根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。通过实验,找出适合中电48所工业生产用管式PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。
PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究
【摘 要】
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根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。通过实验,找出适合中电48所
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,昆明医学院,云南天达光伏科技股份有限公司
【出 处】
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云南师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年05期
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