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在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
【摘 要】
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在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2009年11期
【基金项目】
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基金项目：国家部委“十一五”预研基佥资助项目（513121360104）,西安应用材料创新基金资助项目（Xa-AM-2006（13）
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