论文部分内容阅读
本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明：电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB。