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利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率，导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式，并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明，GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且，选取适当的参量，可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。
量子盘中的三阶非线性光学极化率
【摘 要】
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利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率，导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式，并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明，GaAs量子盘中的三阶非线性
【机 构】
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北京师范大学物理系,广州师范学院物理系
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年2期
【基金项目】
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广东省自然科学基金
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