碳纳米晶体管性能首超硅晶体管

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作为目前主流的半导体材料,硅已经广泛应用于各种电子元件。但受限于硅的自身性质,传统半导体技术被认为已经趋近极限。相较之下,碳纳米管不仅具有硅的半导体性质,而且管壁厚度仅相当于一个原子,其超小空间使得它能够快速改变流经它的电流方向,达到5倍于硅晶体管的速度或能耗只有硅晶体管的1/5。因而,碳纳米管是最好的导电材料之一,也被认为是最有前景的下一代晶体管材料。科学界希望利用它来 As the current mainstream semiconductor materials, silicon has been widely used in various electronic components. However, due to the nature of silicon itself, traditional semiconductor technology is considered to have reached its limit. In contrast, carbon nanotubes have not only the semiconducting nature of silicon, but also the thickness of the tube wall, which corresponds to only one atom, and its small space enables it to rapidly change the direction of the current flowing through it to 5 times the speed of the silicon transistor or Power consumption is only 1/5 of silicon transistors. Therefore, carbon nanotubes is one of the best conductive materials, is also considered the most promising next-generation transistor materials. The scientific community hopes to use it
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