热应力条件下VLSI金属化布线的可靠性

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利用深层掩埋Ti-W自加热结构产生了沿金属化条长方向的温度梯度,通过电阻测温法精确测定实验条上的温度分布,从电迁徙平均失效时间、SEM分析等角度,研究了温度梯度对电迁徙的影响。实验发现,选择合适的工艺条件可保证电阻测温法的稳定性;温度梯度的不同取向对电迁徙平均失效时间存在较大影响,逆向温度梯度可极大地提高金属化的抗电迁徙寿命。
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