【摘 要】
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我们开发了一种新型可配置逻辑阵列测试结构,它采用高度可伸缩且兼具功耗低和配置时间短两大优势的第3代分离栅极闪存单元.此分离栅极SuperFlash@配置元件(SCE)已通过90nm嵌入
【机 构】
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MicrochipTechnology
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我们开发了一种新型可配置逻辑阵列测试结构,它采用高度可伸缩且兼具功耗低和配置时间短两大优势的第3代分离栅极闪存单元.此分离栅极SuperFlash@配置元件(SCE)已通过90nm嵌入式闪存技术进行了演示.得到的SCE消除了对深奥的制造工艺、检测和SRAM电路的需求,并缩短了可编程阵列(PA)(例如,FPGA和CPLD)的配置时间.此外,SCE本身还具有SST分离栅极闪存技术的优点,包括紧凑的区域、低电压读操作、低功耗多晶硅间(poly-to-poly)擦除、源极侧通道热电子(SSCHE)注入编程机制以及
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