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本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析，介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路，以及采用周密的版图布局布线技术，可实现良好的ESD保护性能。
CMOS VLSI ESD保护电路设计技术
【摘 要】
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本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析，介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路，以及采用周密的版图布局
【机 构】
：
中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡,214061
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1999年2期
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