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提出了活化法测量DD中子产额的实验方法,该方法可提高DD中子产额测量的精度。方法基于铟同位素115In与DD中子的非弹性散射反应,活化反应释放的γ射线被HPGe探测器记录,根据活化系统标定灵敏度推算出中子产额。分析了探测器记录的活化γ射线数与中子产额间的关系。介绍了一套活化测量的系统设计。通过蒙特卡罗方法模拟了活化样品出射的γ射线数与样品厚度的关系,模拟结果表明：样品厚度取为1cm可兼顾活化效率和测量精度。在加速器上对铟活化样品进行了标定实验,实验结果表明：在聚变中子产额大于2×109的实验中可