【摘 要】
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南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSFET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片.攻克了多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200 V/600A SiC功率模块,如图1(b)所示.该款模块由48颗SiC MOSFET芯片封装组成,采用Pin-fin直接水冷结构,三相全桥拓扑结构.
【机 构】
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宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;扬州国扬电子有限公司,江苏,扬州,225100
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南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSFET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片.攻克了多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200 V/600A SiC功率模块,如图1(b)所示.该款模块由48颗SiC MOSFET芯片封装组成,采用Pin-fin直接水冷结构,三相全桥拓扑结构.
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