【摘 要】
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基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器(HPA)。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,
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基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器(HPA)。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9~10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。
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