【摘 要】
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在芯片尺寸为4.3×2.1×0.1mm的GaAs片上设计和制造了工作在X波段的单端宽带功率放大器。该放大器的1dB小信号带宽为2GHz,在频带中心点连续波工作具有9dB增益,大于1.6W的功率
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在芯片尺寸为4.3×2.1×0.1mm的GaAs片上设计和制造了工作在X波段的单端宽带功率放大器。该放大器的1dB小信号带宽为2GHz,在频带中心点连续波工作具有9dB增益,大于1.6W的功率输出以及20％的功率附加效率。最近发展起来的,并具有潜在高产能力的Ta_2O_5电容器技术使小芯片尺寸成为可能。
A single-ended broadband power amplifier operating in the X-band is designed and fabricated on a GaAs chip with a chip size of 4.3 × 2.1 × 0.1mm. The 1dB small signal bandwidth of this amplifier is 2GHz, it has the function of 9dB gain, more than 1.6W power output and 20% power additional efficiency to work in the continuous wave of the center of the frequency band. Recently developed, and potentially high yield Ta_2O_5 capacitor technology makes small chip size possible.
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