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采用反应溅射法制备以GdO。或Gd0N为存储层的MONOS(Metal—Oxide—Nitride—Oxide—Si)电容存储器,研究了GdO。中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd—Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13v/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.