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不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄，从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加，这制约了MOSFET性能的提升．为了进一步了解采用高k电介质材料增强MOSFET性能的物理机制，本文通过采用基于非平衡格林函数的数值模拟方法，探讨了高k电介质材料及其等效厚度对于短沟道双栅极MOSFET性能的影响．模拟结果表明，高k材料介电常数的增加或等效氧化层厚度（EOT）的减小均将引起沟道区域能量势垒高度的减小，从而导致沟道电子数密度的增加而使漏极电流增加．因此，采用高k电介质材料为绝缘膜可有效地