【摘 要】
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最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减
【机 构】
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美国先进功率技术公司,美国先进功率技术公司,清华大学微电子所,清华大学微电子所,
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最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少,总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PT IGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明,300V的IGBT比功率MOS的成本低,性能更好。
Recently, due to reduced conduction and switching losses, PT IGBT performance has exceeded the rated power of 200 ~ 300V power MOS tube. This article compares all the features of a 300V IGBT with a 300V power MOS. The conductance modulation of the IGBT greatly reduces the on-voltage and the total switching loss is almost the same as that of the MOS. These PT IGBTs are suitable for high-frequency power applications due to the effective control of low-minority lifetimes. Testing of hard-switched circuits shows that 300V IGBTs have lower cost and better performance than power MOSs.
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