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采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了Cr/SmCo/Cr结构的SmCo薄膜,实验结果表明:在低Sm含量(20.5%(原子分数))和高Sm含量(大于30.7%)的SmCo薄膜中都能形成SmCo5磁性相,在Sm含量较高的SmCo薄膜中同时还形成了SmCo2等非磁性相,非磁性相的存在对磁性相有隔离作用,从而降低了磁性晶粒之间的磁耦合作用。因此可以用提高Sm含量的方法来降低SmCo薄膜磁性晶粒之间的磁耦合作用。