【摘 要】
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本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性.通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律.结果
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 西安710049西安交通大学电子与信息工程学院 西安710049;生态环境部核与辐射安全中心 北京100082;
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本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性.通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律.结果 表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电更集中,耦合效应更明显,且等离子体特性更易于调控.当改变脉冲参数时,6％左右的波形过冲电压会造成微沟道等离子体放电强度～ 30％的改变.另外,脉冲上升沿时间越短,放电强度越高,当上升沿时间由152 ns缩短至32 ns时,放电强度可提升～30％.
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