【摘 要】
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以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有'芯线-壳层'同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明,这种纳米电缆的
【机 构】
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北京科技大学材料物理与化学系,北京科技大学材料物理与化学系
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以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有'芯线-壳层'同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明,这种纳米电缆的产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其'芯线-壳层'的独特结构.不同于以往ZnO一维纳米材料的三个快速生长方向〈0001〉、〈0110〉及〈2110〉,其ZnO芯线的生长方向为[2021].本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速率以及金硅共熔反应使ZnO纳米电缆在硅基片上得到一维生长.
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