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AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度n_s的公式推导,求解过程中采用牛顿-拉夫逊迭代法并给出了近似的解析解。模型中的二维电子气浓度同数值模拟结果进行了比较,误差小于3%;电容模型跟实测的电容电压(C-V)特性进行了比较,误差小于10%。