【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,东北师范大学先进光电
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采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的 Si团簇形成。通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。
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