【摘 要】
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用液相外延和锌扩散技术成功地制造了具有 In_(0·53)Ga_(0·47)As 光吸收层和 InP 雪崩倍增层的异质结构雪崩光电二极管(HAPD)。这种 HAPD的雪崩增益已经高达1.6×10~4,暗电
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用液相外延和锌扩散技术成功地制造了具有 In_(0·53)Ga_(0·47)As 光吸收层和 InP 雪崩倍增层的异质结构雪崩光电二极管(HAPD)。这种 HAPD的雪崩增益已经高达1.6×10~4,暗电流密度在0.9V_B 下低至1×10~(-5)A/cm~2。
A heterostructured avalanche photodiode (HAPD) with an In_ (0.53) Ga_ (0.47) As light-absorbing layer and an InP avalanche multiplication layer has been successfully fabricated by liquid-phase epitaxy and zinc diffusion. The avalanche gain of this HAPD has been as high as 1.6 × 10 ~ 4, dark current density as low as 1 × 10 ~ (-5) A / cm ~ 2 at 0.9V_B.
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